Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux d'Orsay

Diffractomètre des Rayons X en incidence rasante



    Contact :

Michaële HERBST

Bât. : 410

Tél. : 01 69 15 77 56

Envoyer un mail


Renseignements obtenus :

Caractérisation d’échantillons massifs ou de films minces

- θ/2θ ou incidence rasante : analyse de phase, structure cristallographique, réflectométrie sur film : rugosité, densité, épaisseur

- contraintes et textures

Principe :

Lorsqu'un faisceau de rayons X monochromatique et parallèle frappe un cristal, il est diffracté selon des directions données par chacune des familles de plans réticulaires à chaque fois que la condition ou loi de Bragg est réalisée :
 
  nλ = 2d sin ω On obtient alors un pic de diffraction. (avec n : ordre de la diffraction, λ : longueur d’onde du faisceau de rayons X, d : distance entre deux plans réticulaires, ω : angle d’incidence des rayons X).
 
Matériaux :

Analyses en diffraction des matériaux cristallisés polycristallins ou monocristallins. Pour certaines caractérisations, des contraintes sur la qualité de la surface sont nécessaires.

Utilisation : Le diffractomètre de rayons X est en libre service sous habilitation.